文/陈根
日前IEEE电子电器工程师协会宣布，FinFET晶体管发明人胡正明（Chenming Hu）获得了2020年的IEEE 荣誉奖章，这是IEEE协会的最高奖励。
胡正明是谁？
胡正明，1947年7月出生于中国北京，微电子学家，美国工程科学院院士、中国科学院外籍院士，美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授。1997年当选为美国工程科学院院士，2007年当选中国科学院外籍院士，2015年12月获得美国国家技术和创新奖。2016年5月19日，美国总统奥巴马在白宫为胡正明颁发美国国家科学奖章。胡正明教授是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者，对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。
他最伟大的贡献之一就是发明了鳍式场效晶体管 (FinFET) ，这一技术使得摩尔定律延寿了数十年。自从1965年，Intel联合创始人戈登·摩尔提出“摩尔定律”以来，半导体工艺一直按照这个规律发展——2年提升一倍的晶体管密度。按照之前的摩尔定律，今天的半导体原本应该终结了。因为按照之前的发展，传统硅基半导体工艺制造难度越来越大，特别是在28nm工艺之后。
胡正明教授在半导体开发与微型化这个问题上贡献非常大，他于1999年发明了FinFET晶体管，也叫鳍式晶体管或者3D晶体管，就是因为晶体管的形状与鱼鳍相似。
胡正明教授所领导的研究小组开发出了世界上体积最小，但是通过电流却最大的半导体晶体管。这种新型的晶体管可以使1个电脑芯片的容量比从前提高400倍。而Intel在2012年正式量产了3D晶体管技术，首发的是22nm工艺。当时台积电、三星还停留在28nm工艺上，之后在16/14nm节点上他们才进入了FinFET晶体管时代。
从这一点上来说，胡正明教授发明的FinFET技术不仅拯救了摩尔定律，同时也改变了整个半导体行业的发展方向，使得Intel、AMD、NVIDIA、苹果、华为、高通、三星等半导体行业的公司都受益于胡正明教授的发明。
