此前有数码博主测试，华为 Mate 40 Pro 闪存读写性能可达普通 UFS 3.1 约两倍的速度。而近日艾奥科技在拆解华为 Mate 40 保时捷设计时中发现，其搭载的闪存带有海思 Logo，可见该闪存为华为自研。
据悉，华为 Mate 40 Pro 及其以上的机型采用的是海思自研的 SFS 1.0 闪存芯片，相比 UFS 3.1，随机读写速度几乎翻倍。
目前主流 UFS 3.1 机型的顺序读取速度平均约为 1800MB/s 左右，顺序写入速度约为 700MB/s 左右，随机写入约在 200-300M/s 范围中。
在华为 Mate 40 Pro 的测试结果中，可发现该机连续读取约为 1966M/s，持续写入 1280M/s，随机读取 383M/s，随机写入更是直接近乎翻倍地达到了 548M/s。
值得一提是，据此前消息，Redmi Note 9 系列国行新机暂定本月中下旬发布，一共会上三款新机，其中一款搭载 1.08 亿像素 HM2 传感器。
数码博主 @数码闲聊站 曝光了 Redmi Note9 系列国行高配的 LCD 面板，称 “单孔孔径已经直逼主流旗舰机了，到时候装机算上 bm 区也就 3.8mm±”。
该博主还称，明年主流打孔屏旗舰机的孔径大都在 2.4mm±～2.9mm±，配合小直径镜头模组和 0.7μm cis，自拍不会有问题。近期， Redmi Note 9 系列两款新品正式获得 3C 认证。
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